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渡邊 和弘; 藤原 幸雄; 花田 磨砂也; 井上 多加志; 宮本 賢治; 宮本 直樹*; 小原 祥裕; 奥村 義和
Review of Scientific Instruments, 69(2), p.986 - 988, 1998/02
被引用回数：2 パーセンタイル：29.69(Instruments & Instrumentation)1MeV級の水素負イオンビーム加速を目指して、多孔5段の静電加速管の開発を行っている。これまでに、加速電源の放電抵抗を高くし、放電破壊時エネルギーを抑制することにより、920kVの電圧保持を可能とした。ビーム光学の実験において、電圧、電流の最適化により、中間電極電流が小さくビーム電流が最大となる条件を得ることができ、その条件でビームレットも分離して観測されることを確認した。この条件はビーム軌道計算の結果とも一致している。高エネルギービーム加速においては、最高で868keV,19mA,1sの加速電流を得ることに成功している。
ions渡邊 和弘; 藤原 幸雄; 花田 磨砂也; 井上 多加志; 宮本 賢治; 宮本 直樹*; 小原 祥裕; 奥村 義和
Proc. of Joint Meeting of 8th Int. Symp. on the Production and Neutralization of Negative Ions & Beams, p.179 - 186, 1997/00
多段、多孔型静電加速器により水素負イオンの高エネルギー加速の開発を行っている。FRP絶縁管の高耐圧化のために、放電抵抗を400k
としてコンディショニングを行い、最高で920kVの電圧保持を確認した。高エネルギー水素負イオンビーム加速では868keV、19mAのビームを得た。ビーム光学最適化実験では、中間電極電流が最小となり、ビーム加速電流が最大となる最適条件を明らかにし、かつその条件がビーム軌道計算による条件と一致することを明らかにした。
渡邊 和弘; 伊藤 孝雄*; 松岡 守
プラズマ・核融合学会誌, 69(10), p.1229 - 1241, 1993/10
200keV,3.5A出力のヘリウムビーム入射装置において、放電破壊によるイオン源の耐電圧低下を防ぎ安定にビームを得るためのサージ抑制の改良を行った。EMTP回路解析コードによるサージ解析とサージの測定により、大きな対地浮遊容量をもつ絶縁変圧器が主なサージの流出源であることを明らかにした。そして、サージ電流波高値を抑制するために、1mHのリアクトルを変圧器二次回路に挿入した。サージ測定により、目標通りサージ電流を1.5kAから、500Aに低減できたことを確認した。この改良により、放電破壊によるイオン源の耐圧低下はなくなり、定格出力のビーム(200keV,3.5A,0.1s)がくり返し安定に得られるようになった。このことにより、耐電圧低下を防ぐためには、放電破壊時のサージ電流を抑制することの方が、エネルギーへの抑制より、より効果的であることが明らかになった。
渡邊 和弘; 水野 誠; 小原 祥裕; 田中 政信*; 小林 一夫*; 高橋 英希*; 上出 泰生*
Journal of Applied Physics, 72(9), p.3949 - 3956, 1992/11
被引用回数：32 パーセンタイル：81.19(Physics, Applied)高エネルギー大出力イオン源を設計するにあたって必要なデータベースを蓄積するために、直流の耐電圧特性について調べた。実験の結果、ギャップ長50mmまでの実験範囲において放電破壊の特性はほぼクランプ理論に従うことが確認できた。また、電極間に磁場を印加すると、真空度が10
Torr以上のガス放電領域で放電破壊電圧が低下することが判明した。さらに、セシウムを蒸着した電極では破壊電圧が低下するが、通常の負イオン源でのセシウム蒸着量より1桁以上高い蒸着量でも、電圧の低下は30%程度であることがわかった。
